Hochleistungs-Aluminiumoxidpulver als Kernsubstrat für hochwertige elektronische Keramiken bietet dank seiner Eigenschaften wie hoher elektrischer Isolationsfähigkeit, geringem dielektrischem Verlust, hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Sinterdichte und chemischer Stabilität eine wichtige Grundlage für die Weiterentwicklung elektronischer Bauteile in Richtung Miniaturisierung und Hochfrequenzanwendungen. Dieses Material kann zur Herstellung von IC-Gehäusesubstraten, dielektrischen Keramikkomponenten für Mehrschicht-Keramikkondensatoren (MLCC), 5G/6G-Filtern, Resonatoren, kupferbeschichteten Keramiksubstraten für Leistungsmodule sowie Wärmeableitungsbasen für Leuchtdioden eingesetzt werden. Hochreines Pulver kann Metallverunreinigungen, die möglicherweise Leckströme und Signalstörungen verursachen, wirksam vermeiden. Eine präzise Partikelgrößenverteilung trägt zur Sicherstellung der Maßgenauigkeit keramischer Grünlinge und der Gleichmäßigkeit des Sinterprozesses bei.
Darüber hinaus kann es für Präzisionskomponenten wie keramische Wafer-Chucks und Kammerauskleidungen in Halbleiterprozessen eingesetzt werden und verfügt über eine hohe Temperaturbeständigkeit sowie Beständigkeit gegen Plasmaerosion. Derzeit ist Hochleistungs-Aluminiumoxidpulver für High-End-Anwendungen in China langfristig stark importabhängig. Das eigenständig in China entwickelte Hochleistungs-Aluminiumoxidpulver trägt dazu bei, relevante technische Barrieren zu überwinden und die unabhängige Kontrolle über Schlüsselmaterialien in den Industrieketten von Chips, Kommunikationstechnik und neuer Energieelektronik sicherzustellen.